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首頁(yè)晶振行業(yè)動(dòng)態(tài) OX-221和OX-300高穩(wěn)定性Vectron OCXO在工業(yè)溫度范圍內(nèi)以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)±3ppb

OX-221和OX-300高穩(wěn)定性Vectron OCXO在工業(yè)溫度范圍內(nèi)以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝實(shí)現(xiàn)±3ppb

來(lái)源:http://m.review-result.com 作者:億金電子 2022年05月31
OCXO:烤箱控制晶體振蕩器
如果穩(wěn)定性要求太嚴(yán)格而無(wú)法通過(guò)基本晶體振蕩器或TCXO來(lái)滿足,則晶體和關(guān)鍵電路可以通過(guò)烤箱進(jìn)行溫度控制。Vectron恒溫器控制晶體振蕩器的框圖類似于Vectron TCXO的框圖,只是刪除了變?nèi)荻O管和相關(guān)的熱敏電阻補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),而振蕩器由比例控制的恒溫器晶振進(jìn)行溫度控制。
16.0000M-FQ5032-T
Hosonic 晶振
5x3.2mm SMD Xtal
18.4320M-FQ5032-T
Hosonic 晶振
5x3.2mm SMD Xtal
5SB10.0000F20E33F
Hosonic 晶振
CRYSTAL / 10.000MHZ / 20pf / 5.0x3.2x0.9
D7SX30E00000PE
Hosonic 晶振
D37A30.0000NNS
E2SB16.0000F10E11
Hosonic 晶振
HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 16 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體
E2SB18.4320F10E11
Hosonic 晶振
低至:¥2.937106 (CNY)
HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 18.432 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體
 
E2SB20.0000F10E11
Hosonic 晶振
HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 20 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體
 
E2SB24.0000F10E11
Hosonic 晶振
HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 24 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體
 
E2SB27.0000F10E11
Hosonic 晶振
HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 27 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體
 
E3FB12.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-3FB 系列 12 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元
 
E3FB16.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-3FB 系列 16 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元
 
E3FB24.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-3FB 系列 24 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元
 
E3FB27.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-3FB Series 27 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
比例控制是一種電子伺服系統(tǒng),持續(xù)為烤箱供電;它會(huì)改變烤箱的功率,不斷補(bǔ)償環(huán)境溫度的變化。在許多Vectron烤箱控制振蕩器中,熱敏電阻被熱沉到烤箱的金屬外殼上以感應(yīng)溫度。熱敏電阻是電阻橋的一個(gè)分支。
E3SB12E000021E
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 12 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB13.0000F18E22
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB13.5600F18E22
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB13.5600F18E22
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB16.0000F18E22
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 16 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB18.4320F18E22
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 18.4318 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
 
 
E3SB20E000014E
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 20 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB24.0000F12M33
Hosonic 晶振
HCX-3SB Series 24 MHz ±15 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
 
E3SB24.0000F18E22
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB24.5760F18E22
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24.576 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB24E00000SE
Hosonic 晶振
HCX-3SB Series 24 MHz ±20 ppm 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
電橋的工作原理是,如果烤箱的溫度由于環(huán)境溫度變化而降低,熱敏電阻電阻的變化會(huì)導(dǎo)致電橋不平衡,從而增加電橋輸出電壓。該電壓在高增益差分放大器中被放大。差分放大器的輸出在功率放大器中進(jìn)一步放大,直接驅(qū)動(dòng)到烘箱繞組中。因此,由于電橋不平衡導(dǎo)致的小電壓增加會(huì)在烘箱繞組上產(chǎn)生很大的電壓增加??鞠涔β实脑黾訒?huì)產(chǎn)生更多的熱量,以補(bǔ)償最初由熱敏電阻感應(yīng)到的溫度下降。同樣,烤箱溫度升高會(huì)導(dǎo)致橋輸出電壓降低,從而導(dǎo)致進(jìn)入烤箱的功率降低并補(bǔ)償溫度降低。
E3SB25.0000F18E22
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 25 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB26E00000YE
Hosonic 晶振
HCX-3SB Series 26 MHz ±20 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
 
E3SB27E0X000LE
Hosonic 晶振
HCX-3SB Series 27 MHz ±20 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
 
E3SB40.0000F18E22
Hosonic 晶振
HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 40 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E3SB40E001200E
Hosonic 晶振
HCX-3SB Series 40 MHz ±30 ppm 10 pf -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
 
E49A11E0X000JE
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 11.0592 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
E49A12E00000ME
Hosonic 晶振
HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
E49A16E00000ME
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 16 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
E49A24E00000HE
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 24 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
E49A25E00001AE
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 25 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
E49A25E000033E
Hosonic 晶振
20pf/±30ppm/±30ppm/-20+70c/F/Lead cut=3.2±0.2 Crystal
 
E49A4E000000JE
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 4 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
E49A7E00X0007E
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 7.3728 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
在某些Vectron OCXO中使用的這種設(shè)計(jì)的替代方案是將功率放大器的熱量沉入烤箱外殼作為熱傳遞機(jī)制,以代替加熱器繞組。這個(gè)概念是相同的,唯一的區(qū)別是加熱到烤箱的車輛。
E49A8E000001CE
Hosonic 晶振
E49A Series 10 pF -20 to +70 °C Through Hole Crystal
 
E49B10E00000TE
Hosonic 晶振
E49B Series 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
 
E49B12E00001DE
Hosonic 晶振
E49B Series 66 MHz ±50 ppm 10 pF -30 to +85 °C Surface Mount Crystal - HC-49/S
 
E49B12E000022E
Hosonic 晶振
HC-49SB Series 12 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
E49B16E00000KE
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 16 MHz 16 pF 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 表面貼裝 晶體單元
 
E49B16E00000SE
Hosonic 晶振
HC-49SB Series 16 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
E49B4E000000GE
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 4 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 單元
 
E49B4E00X000ZE
Hosonic 晶振
E49B Series 10 pF -20 to +70°C Surface Mount Crystal
 
E49B7E00X000AE
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 7.3728 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
E49B8E00X000CE
Hosonic 晶振
E49B Series 10pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
 
E49B9E00X0009E
Hosonic 晶振
ESB 系列 9.84375 MHz ±30 ppm 10 pF -40至85 °C 表面貼裝 晶體
 
E5FA10.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 10 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5FA12E00000ME
Hosonic 晶振
HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5FA13.5600F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5FA Series 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
使用比例控制的烘箱可以將振蕩器溫度穩(wěn)定性相對(duì)于晶體的固有穩(wěn)定性提高5000倍以上(例如,在0-50°C范圍內(nèi)從±1x10-5到±1x10-9)。然而,烤箱控制系統(tǒng)并不完美,因?yàn)?a)開環(huán)增益不是無(wú)限的,(b)烤箱內(nèi)部存在內(nèi)部溫度梯度,以及(c)烤箱外部受環(huán)境溫度變化影響的電路可以“拉”頻率。因此,環(huán)境溫度的變化將導(dǎo)致烘箱溫度的微小變化。
E5FA14.7456F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5FA16.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5FA18.4320F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5FA24.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5FA24.0000F20D33
Hosonic 晶振
HCX-5FA Series 24 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
 
E5FA24.5760F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5FA25E00000KE
Hosonic 晶振
HCX-5FA Series 25 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal
 
E5FA25E00000TE
Hosonic 晶振
HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5SB11E0X0006E
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5SB12.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5SB13.5600F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5SB14.7456F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5SB20.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5SB24.0000F18M12
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
E5SB24.5760F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
當(dāng)振蕩器最初在室溫下打開時(shí),相對(duì)于烘箱穩(wěn)定后的輸出頻率,頻率非常高,通常為30x10-6。這僅僅是因?yàn)锳T切割晶體的頻率在室溫下遠(yuǎn)高于其上限周轉(zhuǎn)溫度。隨著烤箱升溫,晶體頻率迅速降低。在標(biāo)準(zhǔn)Vectron振蕩器中,烘箱在10-15分鐘內(nèi)達(dá)到平衡,但晶體在穩(wěn)定之前顯示出橡皮筋效應(yīng)并超出其最終頻率。通常,開機(jī)后30分鐘內(nèi)即可達(dá)到較高的穩(wěn)定性;在特殊的快速預(yù)熱設(shè)計(jì)中,此時(shí)間可縮短至5分鐘以下。
E5SB25.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5SB25E00001LE
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
E5SB27.0000F18E33
Hosonic 晶振
HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 27 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體
 
ESA10.0000F30C35F
Hosonic 晶振
HC-49SA Series 10 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESA12.0000F20B35F
Hosonic 晶振
HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESA12.0000F20E33F
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 12 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
ESA12.0000F30D35F
Hosonic 晶振
HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESA12.000F30D55F
Hosonic 晶振
HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESA14.7456F20E33F
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 14.7456 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
ESA16.0000F30M55F
Hosonic 晶振
HC-49SA Series 16 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESA18.4320F20E33F
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 18.432 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
ESA20.0000F18M33F
Hosonic 晶振
HC-49SA Series 20 MHz ±50 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESA20.0000F20E33F
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 20 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
ESA20.0000F30M55F
Hosonic 晶振
HC-49SA Series 20 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
1.成本。由于在制造SC晶體時(shí)圍繞兩個(gè)軸的嚴(yán)格控制角度旋轉(zhuǎn)與AT的一個(gè)軸相比存在困難,因此SC晶體的成本明顯高于相同頻率和泛音的AT。
ESA3.68640F20E33F
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 3.6864 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
ESA8.00000F20E33F
Hosonic 晶振
HC-49SA 系列 3.5 mm 高 8 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元
 
ESB10.0000F20M35F
Hosonic 晶振
HC-49SB Series 10 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESB11.0592F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB12.0000F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB14.7456F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB16.0000F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB18.4320F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB19.2000F32M55F
Hosonic 晶振
HC-49SB Series 19.2 MHz ±30 ppm 32 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESB19.44000F18M55F
Hosonic 晶振
49SMA 系列 10 x 3.5 mm 19.44 MHz ±50 ppm 18 pF -40至85 晶振
 
ESB20.0000F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB24.0000F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB24.5760F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB25.0000F18C25F
Hosonic 晶振
HC-49SB Series 25 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESB25.0000F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
2.可拉性。SC晶體的運(yùn)動(dòng)電容比相同頻率和泛音的AT小數(shù)倍,從而降低了“拉動(dòng)”晶體頻率的能力。這限制了SC晶體在傳統(tǒng)TCXO和VCXO中的使用,甚至在需要能夠以任何顯著程度偏離振蕩頻率的恒溫振蕩器中使用。
ESB3.68640F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 3.6864 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB4.00000F20E23FX
Hosonic 晶振
HC-49SB Series 4 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESB6.00000F16D33F
Hosonic 晶振
HC-49SB Series 6 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
ESB8.00000F18E33F
Hosonic 晶振
HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 8 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元
 
ESB8.00000F20B33F
Hosonic 晶振
HC-49SB Series 8 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal
 
總結(jié),就這些型號(hào)
16.0000M-FQ5032-T
18.4320M-FQ5032-T
5SB10.0000F20E33F
D7SX30E00000PE
E3SB12E000021E
E3SB16.0000F16M33
E3SB16E001500E
E3SB18.4320F18E22
E3SB20E000014E
E3SB24.0000F12M33
E3SB24E00000SE
E3SB26E00000YE
E3SB27E0X000LE
E3SB32E001500E
E3SB40E001200E
E3SB48E000801E
E49A11E0X000JE
E49A12E00000ME
E49A16E00000ME
E49A24E00000HE
E49A25E00001AE
E49A25E000033E

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