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首頁晶振行業(yè)動態(tài) TRANSKO水晶應用筆記

TRANSKO水晶應用筆記

來源：http://m.review-result.com 作者：億金電子 2022年05月27
訂購水晶時需要提供哪些基本信息？
一般我們要求客戶提供標稱頻率、切割角度類型（AT/BT）、支架或封裝類型、電阻（ESR）、頻率公差、
頻率穩(wěn)定性，負載電容，工作溫度范圍，驅(qū)動功率，老化等?？蛻粢部梢栽谙掠唵螘r指定其他特定規(guī)格或要求（如果有）。
531EC622M080DG Silicon晶振 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DG Silicon晶振 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DG Silicon晶振 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530BC311M040DG Silicon晶振 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC622M080DG Silicon晶振 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531FC312M500DG Silicon晶振 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC622M080DG Silicon晶振 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531EC312M500DG Silicon晶振 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC622M080DG Silicon晶振 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC250M000DG Silicon晶振 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC311M040DG Silicon晶振 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530FC312M500DG Silicon晶振 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531EC250M000DG Silicon晶振 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC312M500DG Silicon晶振 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DG Silicon晶振 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DG Silicon晶振 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530FC250M000DG Silicon晶振 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530BC312M500DG Silicon晶振 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC312M500DG Silicon晶振 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC50M0000DG Silicon晶振 Si530 50MHz 2.5V ±7ppm
535AB125M000DG Silicon晶振 Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
501AAA27M0000DAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000DAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JCA100M000CAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000BAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
SI50122-A1-GM Silicon晶振 SI50122-A1 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
SI50122-A2-GM Silicon晶振 SI50122-A2 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
頻率容差和頻率穩(wěn)定性之間的主要區(qū)別是什么？
有時，如果客戶指定，“參考”頻率可能指的是標稱（規(guī)格）頻率。
頻率穩(wěn)定性通常以百萬分之幾(ppm)表示。
晶振的頻率容差定義為在指定溫度（通常為+25°C（-2°C
511SAA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 1.8V ±50ppm
510BCA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V ±20ppm
530AA156M250DG Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V ±50ppm
531AA156M250DG Silicon晶振 Si531 156.25MHz 3.3V ±50ppm
530FB100M000DG Silicon晶振 Si530 100MHz 2.5V ±20ppm
511FBA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V ±25ppm
530BC125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
535AB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB125M000DG Silicon晶振 Si536 125MHz 2.5V ±20ppm
510BBA74M2500BAG Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA125M000BAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
511ABA100M000BAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
510FBA125M000AAG Silicon晶振 Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
510ABA100M000AAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
531BC106M250DG Silicon晶振 Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC125M000DG Silicon晶振 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
511ABA74M2500BAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA74M2500BAG Silicon晶振 Si510 74.25MHz 2.5V ±25ppm
510ABA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000AAG Silicon晶振 Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA74M2500AAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA106M250AAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500BAG Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA155M520BAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250BAG Silicon晶振 Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511FBA000110BAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
510BBA155M520AAG Silicon晶振 Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000110AAG Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
510BBA212M500BAG Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
當晶體不在規(guī)范規(guī)定的溫度范圍內(nèi)工作時，其性能會發(fā)生什么變化？
晶振性能會受到影響。我們強烈不建議這樣做。它會導致晶體的頻率漂移。更糟糕的情況是它可能導致客戶電路發(fā)生故障。
511ABA212M500BAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500BAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510BBA200M000AAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA200M000AAG Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511ABA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
530EC125M000DG Silicon晶振 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531FC106M250DG Silicon晶振 Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC187M500DG Silicon晶振 Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531FC000110DG Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC200M000DG Silicon晶振 Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
531AC000110DG Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
531AC148M500DG Silicon晶振 Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
535EB156M250DG Silicon晶振 Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm
510CBA25M0000BAG Silicon晶振 Si510 25MHz 3.3V ±25ppm
511SBA156M250BAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 1.8V ±50ppm
501JAA24M0000DAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501AAA27M0000CAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA40M0000CAF Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501AAA24M0000BAF Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000CAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000BAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000BAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000BAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501AAA50M0000CAF Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
什么是AT或BT削減？
-Crystal主要具有其“頻率穩(wěn)定性”特性，這是由于如何將石英棒以某個預先定向的角度切割成晶體晶片的結果。今天最流行和廣泛使用的一種是AT-Cut。
AT-cut在Y軸負方向上與Z軸的切削角約為35X15'，而BT切削在Y軸正方向上與Z軸的切削角為-45X。為了便于理解，下面顯示了兩個切割的圖表。
501EAA48M0000DAG Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAG Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501HCA27M0000DAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000BAF Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501HCA12M0000DAF Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA24M0000DAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000BAG Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BCA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501HCA26M0000BAF Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JAA25M0000BAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501BCA16M0000CAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501EAA48M0000CAG Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BAA16M0000BAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000CAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000BAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501AAA27M0000BAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501ACA10M0000CAF Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JAA40M0000BAG Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501ACA10M0000BAF Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA10M0000BAF Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501HCA12M0000BAF Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA25M0000CAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501HCA27M0000BAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501AAA50M0000BAG Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501ABA8M00000BAG Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501HCA27M0000DAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000CAG Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501JCA10M0000BAG Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501ACA10M0000BAG Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA20M0000CAG Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000BAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000CAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000DAF Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000CAF Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
什么是拉力？
晶體的牽引能力是作為負載電容函數(shù)的頻率變化的量度。
電路設計人員可以通過改變或改變晶體的負載電容來實現(xiàn)工作頻率范圍。工作頻率范圍由晶體在給定（變化）負載電容范圍內(nèi)的牽引能力決定。
501JCA100M000BAF Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768DAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCAM032768CAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768BAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
500DLAA125M000ACF Silicon晶振 Si500D 125MHz 2.5V ±150ppm
500DLAA200M000ACF Silicon晶振 Si500D 200MHz 2.5V ±150ppm
510CBA100M000BAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA125M000BAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA25M0000BAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA100M000BAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA125M000BAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA25M0000BAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA100M000AAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA125M000AAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA25M0000AAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA100M000AAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA125M000AAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA156M250BAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA156M250BAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA156M250AAGR Silicon晶振 * - - -
510GBA156M250AAGR Silicon晶振 * - - -
510CBA100M000BAG Silicon晶振 * - - -
什么是雜散頻率？
晶體可能以與其基頻或泛音頻率無關的頻率振動。這種不需要的頻率被稱為雜散頻率。
在晶體設計和制造階段，可以通過改變晶片尺寸、電極圖案設計和調(diào)整晶片上的金屬化來抑制雜散頻率的影響。
510CBA125M000BAG Silicon晶振 * - - -
510GBA100M000BAG Silicon晶振 * - - -
510GBA125M000BAG Silicon晶振 * - - -
510GBA25M0000BAG Silicon晶振 * - - -
510CBA100M000AAG Silicon晶振 * - - -
510CBA125M000AAG Silicon晶振 * - - -
510CBA25M0000AAG Silicon晶振 * - - -
510GBA100M000AAG Silicon晶振 * - - -
510GBA125M000AAG Silicon晶振 * - - -
510ABA100M000BAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510ABA125M000BAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000BAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000BAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
510FBA125M000BAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511ABA100M000BAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511ABA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA100M000BAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000BAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA125M000BAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V ±25ppm
510ABA106M250BAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA106M250BAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA106M250BAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000149BAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510ABA74M2500BAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000149BAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
雜散頻率會產(chǎn)生什么影響？
當雜散模式的信號電平與主模式一樣強時，振蕩器可能會在雜散模式而不是主模式上運行。這種現(xiàn)象稱為模式跳變。
雜散模式通常定義為對主模式的電阻比或dB抑制。為了避免大多數(shù)振蕩器的模式跳變，需要與主模式的電阻比為1.5或2.0。這大約相當于主模式下的-3dB至-6dB信號抑制。
510FBA000149BAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510FBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000149BAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511ABA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000149BAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149BAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
511FBA74M2500BAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
510CBA156M250BAG Silicon晶振 * - - -
510GBA156M250BAG Silicon晶振 * - - -
510CBA156M250AAG Silicon晶振 * - - -
510GBA156M250AAG Silicon晶振 * - - -
510ABA100M000AAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510ABA125M000AAGR Silicon晶振 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000AAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
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510FBA100M000AAGR Silicon晶振 Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
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511ABA100M000AAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
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為什么HC-49S晶體的拉力不如HC-49U晶體？
晶體的牽引能力通常與晶體坯上形成的電極尺寸有關。更大尺寸的晶體坯當然可以容納更大的電極。HC-49S的毛坯尺寸比HC-49U小。
當晶體與振蕩電路中給定的負載電容串聯(lián)放置時，較大的電極通常會提供更寬的頻率牽引范圍。
510BBA106M250AAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA106M250AAGR Silicon晶振 Si510 106.25MHz 2.5V ±25ppm
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510ABA000149AAGR Silicon晶振 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510ABA74M2500AAGR Silicon晶振 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
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510ABA156M250BAGR Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
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511ABA156M250BAGR Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
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510BBA155M520BAGR Silicon晶振 Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
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511ABA155M520BAGR Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
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511FBA148M500BAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
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510ABA000110BAGR Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
什么是負載電容（CL）？
晶體的作用是放置在振蕩電路中工作，以產(chǎn)生所需的振蕩頻率。當晶體位于振蕩電路中時，它會在晶體的兩個端子引線處看到一個“負載電容”。這種負載電容是出現(xiàn)在或呈現(xiàn)給晶體的整個振蕩電路的等效電容效應。
510ABA148M500BAGR Silicon晶振 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000110BAGR Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
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510FBA000110BAGR Silicon晶振 Si510 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
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511ABA000110BAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
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510ABA156M250AAGR Silicon晶振 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
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