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DSB221SJ日本大真空晶振,TCXO溫補振蕩器,貼片有源晶振,數(shù)碼相機晶振,大真空主要生產(chǎn)晶振,貼片晶振,"1XXB12288EAA"石英晶體諧振器,水晶振動子,手表,液晶模塊,以及技術(shù)開發(fā)新型的電子元器件等產(chǎn)品.大真空有源晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
項目 | 記 號 | DSB221SJ | 條 件 |
頻率 | f_nom | 10~40MHZ | |
頻率容許偏差 | f_tol | ±20x10−6, ±50x10−6 | |
頂點溫度 | Ti | +25±5°C | |
二級溫度系數(shù) | B | (−3.5±1.0)x10−8/°C2 | |
負載容量 | CL | 7.0pF/9.0pF/12.5pF | |
串聯(lián)電阻 | R1 | 65kÙ 最大值 | |
絕對最大激勵等級 | DLmax. | 1μW | |
推薦激勵等級 | DL | 0.1μW | |
并聯(lián)電容 | C0 | 0.8pF 典型值 | |
頻率老化程度 | f_age | ±3x10-6 | +25±3°C,第一年 |
工作溫度范圍 | T_use | -40°C~+85°C | |
保存溫度范圍 | T_stg | -40°C~+125°C | 單件保管 |
請測量使用示波器或頻率計數(shù)器晶體的兩個端子的信號,"1XXB12288EAA"如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi),它的輸出波形的幅度是不夠的(例如超過+/-200ppm的),請按照步驟2-3步驟2-5。
The formula for Capacitances versus Frequency is as following:
該公式的電容與頻率是如下:
FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where
該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:
如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計不是調(diào)諧到最佳共振點為晶體的情況。"1XXB12288EAA"該晶體應(yīng)正常后,諧振點的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過以下三種方法改進:
該公式的電容與頻率是如下:
FL = FR * (1 + C1 / 2 * (C0 + CL) ) where
該曲線代表電容變化與頻率變化(頻率pullability)變化的變化:
如果由頻率計數(shù)器測量的頻率比目標頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標頻率,反之亦然。請檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率。如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計不是調(diào)諧到最佳共振點為晶體的情況。"1XXB12288EAA"該晶體應(yīng)正常后,諧振點的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標頻率,我們可以通過以下三種方法改進:
方法1:降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負載電容(CL)。
方法2:采用小電阻(RR)的晶體。
方法3:使用鎘和CG的不等價的設(shè)計。
我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規(guī)格,請采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標頻率。請采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。
方法2:采用小電阻(RR)的晶體。
方法3:使用鎘和CG的不等價的設(shè)計。
我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。我們建議您使用上面的方法來節(jié)省成本,保證安全。請用頻率計數(shù)器來測量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說明書后的波形的振幅進行了改進。如果頻率不符合規(guī)格,請采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標頻率。請采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會偏差很大。
KDS日本大真空晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國市場,現(xiàn)如今大真空品牌在國內(nèi)電子元件中深入民心以專業(yè)化系統(tǒng)在全國各地的工廠生產(chǎn).高超的生產(chǎn)技術(shù)一流的生產(chǎn)設(shè)備, 自動化生產(chǎn)設(shè)施的優(yōu)勢既而節(jié)省勞動力,如有用到大真空晶振貼片或插件的客戶請與國內(nèi)深圳市億金電子大真空株式會社指定代理商聯(lián)系.日本大真空株式會社,"1XXB12288EAA"KDS貼片晶振品牌實力見證未來,KDS集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有生產(chǎn)工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶體生產(chǎn)最大量的工廠.
日本大真空晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時也能達到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準.
2003年大真空通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證,"1XXB12288EAA"秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證.
聯(lián)系人:黃娜
公司:深圳市億金電子有限公司
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
電話:0755-27876565
手機:18924600166
QQ:857950243
郵箱:yijindz@163.com
網(wǎng)站:http://m.review-result.com
地址:廣東省深圳市寶安區(qū)新安107國道旁
SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
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